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發(fā)布時(shí)間:2021-10-07 15:57:31 人氣:
我們?cè)诖擞懻摰姆逍萎愖兪侵冈?a href="http://soaf0755.cn/" style="margin: 0px; padding: 0px; -webkit-tap-highlight-color: rgba(255, 255, 255, 0); text-decoration-line: none; outline: 0px; transition: all 0.5s ease 0s;">色譜分析方法確定后,與曾經(jīng)記錄的已知色譜圖比較時(shí),出現(xiàn)某些色譜峰形的偏離畸變或多余峰?;蛘哒f(shuō),對(duì)于一已經(jīng)設(shè)立好的色譜分析方法,由于不要求或出于無(wú)奈時(shí)有些峰分離不開(kāi)、拖尾或峰形不對(duì)稱等并不影響方法的實(shí)施情況,不屬于上述因儀器故障、經(jīng)驗(yàn)不足或操作失誤造成的峰形異變。否則需要重新審定或修改原來(lái)的分析方法。另外,還應(yīng)指出:由于無(wú)亂安裝使用沒(méi)有評(píng)價(jià)過(guò)的色譜柱可能出現(xiàn)的峰形拖尾,分離不好或峰形畸變,也不屬于討論內(nèi)容。顯然叫一個(gè)普通色譜分析工作者,在常規(guī)工作條件下去判斷色譜柱的優(yōu)劣,要求似乎高了一些。
在懷疑峰形異變尋找可能原因、排除方法之前最好先做以下工作:
(2)氣體流量突變?nèi)纾鹤⑸鋲|突然漏氣,氣路受阻等; (3)記錄色譜峰裝置故障如:拉線松。 (2)操作ECD時(shí)進(jìn)樣量過(guò)大而出負(fù)峰,這是由于工作原理由電子捕獲轉(zhuǎn)變?yōu)殡婋x檢測(cè),此時(shí)靈敏度還會(huì)大大降低; (3)操作FID,低電離效率的溶劑(如,CS2)或雜質(zhì)出現(xiàn),使原基流較高的輸出基線減小而顯示為負(fù)峰; (4)操作FID,在無(wú)極化電壓,樣品量較大可能出現(xiàn)負(fù)峰; (5)操縱NPD、FPD時(shí)氣流比不合適,溶劑或某些組分會(huì)出現(xiàn)負(fù)峰。 (2)FID操作時(shí),樣品溶劑電離效率低(如,CS2),或氣流比欠佳時(shí); (3)ECD操作時(shí),由于檢測(cè)器被污染,溶劑峰或待測(cè)組分含量較高,或脈沖電源有毛病。 (2)載氣流量??; (3)進(jìn)樣量大,汽化時(shí)間長(zhǎng); (4)汽化室被污染,樣品有吸附效應(yīng); (5)樣品在柱頭有冷凝或色譜柱被污染; (6)進(jìn)樣技術(shù)差(揮發(fā)性組分的進(jìn)樣速度太慢); (7)峰前出現(xiàn)了“鬼”峰。 (2)樣品未能注射入柱頭中(柱頭進(jìn)樣方式); (3)汽化管沒(méi)有安裝好或破損,樣品只能脫尾進(jìn)入色譜柱; (4)化室的溫度低或偏高; (5)載氣流量偏低; (6)進(jìn)樣量大; (7)載氣系統(tǒng)(如注射墊處)有漏氣; (8)進(jìn)樣器(汽化室),被樣品中高沸點(diǎn)雜質(zhì)或注射墊殘?jiān)廴荆?/p> (9)色譜柱被污染至使被分析組分和高沸點(diǎn)污染物作用; (10)補(bǔ)充氣未開(kāi)或偏低; (11)色譜柱溫度偏低或失效; (12)甲烷化Ni催化劑失效; (13)進(jìn)樣技術(shù)差(如速度不合適); (14)正好有干擾峰(鬼峰)出現(xiàn)(如誤用被污染的注射針); (15)無(wú)極化電壓(FID),此時(shí)伴隨靈敏度偏低; (16)樣品前處理有毛病。 (2)FID被污染狀況發(fā)生改變,或氣流比發(fā)生變化; (3)系統(tǒng)出現(xiàn)漏氣,或出現(xiàn)堵塞; (4)色譜柱被污染; (5)樣品處理不當(dāng),如:樣品中有些物質(zhì)和固定相發(fā)生作用。 (2)新?lián)Q載氣純度欠佳; (3)過(guò)濾器失效; (4)樣品前處理不當(dāng),如:雜質(zhì)干擾物太多; (5)靈敏度太高; (6)數(shù)據(jù)處理裝置的判峰參數(shù)設(shè)置不合理。 (2)汽化溫度低; (3)色譜柱沒(méi)按要求安裝; (4)檢測(cè)器工作狀態(tài)不對(duì),如載氣太小、沒(méi)開(kāi)補(bǔ)充氣; (5)數(shù)據(jù)處理裝置的判峰參數(shù)(半峰寬)設(shè)置偏大。 (2)檢測(cè)器已工作在飽和區(qū); (3)數(shù)據(jù)處理輸入信號(hào)極性接錯(cuò),或零點(diǎn)失調(diào)。 (2)操作TCD、ECD時(shí),柱箱或檢測(cè)器箱溫度周期變化; (3)環(huán)境溫度對(duì)儀器控溫影響; (4)電壓不穩(wěn),對(duì)柱溫控制精度影響; (5)過(guò)溫保護(hù)設(shè)置低于控制溫度; (6)壓力(流量)調(diào)節(jié)閥失調(diào),周期變化。1.臺(tái)階峰:
2.負(fù)峰:
3.“N”或 “W”峰:
4.舌頭峰(前延峰):
5.拖尾峰:
6.出峰后基線下移:
7.程序升溫時(shí)基流增加(漂移大),噪聲增加:
8.圓頂寬峰:
9.平頂峰(未到滿量程):
10.基線出現(xiàn)波浪狀峰:
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